每經記者 張靜 發自成都

三星電子將發力搶占中國存儲芯片市場。

9月12日，三星電子宣布，位于中國大陸西安的10nm級NAND型閃存(NAND Flash)制造廠將會開始動工，預期可在2013年底興建完成，并于2014年起開始投產。

三星電子指出，新成立的三星(中國)半導體有限公司按計劃一期投資70億美元，預計二期持續投資將達300億美元。使西安廠成為三星有史以來投資額最高的海外芯片制造廠。目前，其已在德州奧斯汀市擁有另外一座海外半導體廠房。

據《每日經濟新聞》記者了解，三星電子西安高端存儲芯片項目是三星電子最領先的技術，每月可生產10萬片，預計一期投資達產后，可形成660億元人民幣的年銷售收入，聚集160余家配套企業入駐，提供萬余就業崗位,近期已確定44家配套企業進駐西安高新區。

分析人士稱，作為全球最大的存儲器制造商，三星在中國西安設廠可以提升中國半導體行業的制造能力，更重要的是將大大加速三星本土化進程，也將進一步拉開與美光、海力士、東芝等競爭對手的距離。

據了解，中國生產全球96%的平板電腦和37%以上的智能手機，因此這些產品的核心零配件內存芯片的需求也在年年劇增。

根據市研機構Gartner的數據，中國市場去年所消費的NAND內存芯片，占全球市場一半，規模達290億美元，是全球最大的芯片消費國。到2015年，中國市場份額將升至55%。對于世界存儲技術和產品的領先者三星來說，中國市場的價值可謂不言而喻。

而據IHS iSuppli今年4月發布的最新研究報道顯示，今年全球NAND閃存營收預計將達229億美元，較2011年的212億美元增加8%。今后數年，全球NAND閃存營收將會繼續保持增長的態勢，到2016年將會達到309億美元左右。

在NAND閃存“水漲船高”之勢下，今年以來，NAND閃存大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴增新產能計劃，向20nm制程發力。英特爾已經量產20nm工藝的128GB NAND閃存產品，預計下半年即可出貨。，

而三星宣稱將生產工藝十分先進10nm閃存芯片，將長遠發展立足于中國市場實屬明智之舉，其在西安生產線的投產將滿足日益高漲的NAND Flash需求。

目前，NAND閃存主要應用于智能手機、平板電腦以及超極本使用的固態硬盤等三大主要市場。而三星此次建廠被認為并向增長迅速華為和中興等中國手機制造商供貨。

不過，對于三星在中國建設芯片廠，iSuppli分析師顧文君在此前《每日經濟新聞》記者采訪時表示，其對國內企業來說，未必是件好事。目前三星的閃存芯片約占國內30%的市場份額，直接在中國生產產品必然會降低其生產成本，并鞏固其在中國市場的霸主地位，行業集中度會繼續加強，這樣的話，國內企業的議價能力也會有所減弱,其他閃存企業的日子或更艱難。