作為國內首批自主研發并量產應用SiC器件的公司，在SiC功率器件領域，比亞迪半導體于2020年取得重大技術突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用。

時隔不到2年，比亞迪半導體于近期全新推出1200V 1040A SiC功率模塊，模塊功率再創新高！

1200V 1040A高功率SiC模塊

“模”力超群匹配更高功率新能源汽車平臺應用

相較于市場主流的SiC功率模塊，1200V 1040A SiC功率模塊成功克服了模塊空間限制的難題，在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率大幅提升了近30%，主要應用于新能源汽車電機驅動控制器。它突破了高溫封裝材料、高壽命互連設計、高散熱設計及車規級驗證等技術難題，充分發揮了SiC功率器件的高效、高頻、耐高溫優勢。

1200V 1040A高功率SiC模塊

作為比亞迪半導體當前最高功率的SiC模塊，這款產品充分展現了比亞迪半導體對高效率的極致追求，后續也將匹配更高功率新能源汽車平臺應用，充分發揮其大功率優勢。

雙面燒結工藝助力功率提升

1200V 1040A SiC功率模塊，采用了雙面燒結工藝，即SiC MOSFET上下表面均采用燒結工藝進行連接，具備更出色的工藝優勢與可靠性。

1.芯片下表面燒結工藝，連接層導熱率與可靠性提高

SiC MOSFET芯片下表面采用燒結工藝，相比傳統焊接工藝模塊，連接層導熱率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上；

2.芯片上表面燒結工藝，提升模塊工作結溫

芯片上表面采用燒結工藝，因燒結層具有的高耐溫特性，SiC模塊工作結溫可提升至175℃，試驗證明，其可靠性是傳統工藝的4倍以上。

功率模塊封裝中幾種上表面工藝的優劣對比

向高效率、高集成、高可靠性方向不斷前進

比亞迪半導體致力于共同構建車規級半導體產業的創新生態，助力實現車規級半導體產業實現自主安全可控的目標。公司不斷加強科技創新能力，重視基礎科學研究和工藝創新，上下游產業鏈協同合作實現產品性能最優比，以車規級半導體為核心持續拓展下游應用場景。

車規級半導體整體解決方案

在功率半導體方面，經過多年的技術積累及發展整合，比亞迪半導體已成為國內少數能夠實現車規級功率半導體量產裝車的IDM廠商之一，形成了包含芯片設計、晶圓制造、模塊封裝與測試、系統級應用測試的完整產業鏈。同時比亞迪半導體擁有突出的科技創新能力，所生產的車規級功率半導體已在新能源汽車廠商中得到充分驗證并進行了批量應用，在車規級功率半導體領域實現自主可控及重大突破。

自2005年布局功率半導體領域以來，比亞迪半導體篳路藍縷，一步一個腳印，先后在功率芯片發布完全自主研發的2.5代、4.0代、5.0代車用IGBT技術，并于2022年自主研發出最新一代精細化溝槽柵復合場終止IGBT6.0技術，產品性能及可靠性大幅提升，達到國際領先水平。

IGBT晶圓

此外，在模塊封裝方面，比亞迪半導體也勤勤懇懇、不懈努力，迄今已成功開發出一系列擁有完全自主知識產權的功率模塊，累計裝車量和國內市占率領先。

作為國內首批自主研發并批量應用車規SiC功率模塊的半導體公司，比亞迪半導體以高效為核心，重點提升功率半導體效率，降低功率損耗；以智能、集成為核心，重點提高關鍵芯片智能化程度，滿足車規級高控制能力需求，最終達到集成化方案和協同化應用的高度融合，使整車在定義智能化汽車當中實現所有的功能協同應用。

后續，比亞迪半導體在功率半導體領域將持續深耕，在提高產品技術、完善產品系列等加強自身能力技術的基礎上同步實現產品的優化升級，不斷優化提升功率器件及模塊性能，向高效率、高集成、高可靠性方向繼續前行。

（本文不構成任何投資建議，投資者據此操作，風險自擔。）