每經(jīng)AI快訊，2024年1月16日，華鑫證券發(fā)布研報點評新潔能（605111）。

利潤短期承壓，高端市場規(guī)模擴大

公司2023年前三季度單季度分別實現(xiàn)營業(yè)收入3.74/3.85/3.46億元。其中，第三季度歸母凈利潤實現(xiàn)0.67億元，同比下降34.99%，主要系2023年Q3市場景氣度相比2022年同期較低，下半年以來整體需求有所恢復(fù)但仍相對較弱，疊加行業(yè)競爭加劇等因素，導(dǎo)致本期銷售額有所降低，進而影響到凈利潤。

面對需求疲軟和行業(yè)競爭的挑戰(zhàn)，公司積極應(yīng)對市場變化和響應(yīng)客戶需求，利用技術(shù)和產(chǎn)品優(yōu)勢、產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢等，持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、市場結(jié)構(gòu)和客戶結(jié)構(gòu)，將產(chǎn)品導(dǎo)入并大量銷售至新能源汽車和充電樁、光伏和儲能、服務(wù)器電源和數(shù)據(jù)中心等新興領(lǐng)域客戶，并開發(fā)出更多的行業(yè)龍頭客戶，進一步擴大了公司在高端市場的應(yīng)用規(guī)模及影響力。

▌產(chǎn)品技術(shù)先進種類齊全，可對標(biāo)國際一線大廠主流產(chǎn)品

公司主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件及功率模塊的研發(fā)設(shè)計及銷售。公司憑借多年技術(shù)積累及持續(xù)自主創(chuàng)新，在國內(nèi)率先構(gòu)建了IGBT、屏蔽柵MOSFET （ SGTMOSFET）、超結(jié)MOSFET（SJMOSFET）、溝槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大產(chǎn)品工藝平臺，并已陸續(xù)推出車規(guī)級功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功率模塊、柵極驅(qū)動IC、電源管理IC等產(chǎn)品，可全面對標(biāo)國際一線大廠主流產(chǎn)品并實現(xiàn)大量替代。公司產(chǎn)品技術(shù)先進且系列齊全，目前產(chǎn)品型號2000余款，電壓覆蓋12V~1700V全系列，重點應(yīng)用領(lǐng)域包括新能源汽車及充電樁、光伏儲能、算力服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心、工控自動化、消費電子、5G通訊、機器人、智能家居、安防、醫(yī)療設(shè)備、鋰電保護等十余個長期被歐美日功率半導(dǎo)體壟斷供應(yīng)的行業(yè)。

▌加大研發(fā)投入，專利授權(quán)及產(chǎn)品數(shù)量大幅增長

2023年上半年，公司進一步加大了研發(fā)投入，當(dāng)期共計研發(fā)投入4,691.76萬元，同比增長了22.40%，占當(dāng)期營業(yè)收入的比例為6.19%。2023年上半年，公司（含子公司）新增授權(quán)專利18項，其中發(fā)明專利13項、實用新型專利5項；當(dāng)期申報專利4項，其中發(fā)明專利4項；新增產(chǎn)品200余款。截至2023年8月，公司共有187項專利，34項集成電路布局設(shè)計，2000余款產(chǎn)品。

▌盈利預(yù)測

預(yù)測公司2023-2025年收入分別為16.96、20.28、25.64億元，EPS分別為1.07、1.41、1.81元，當(dāng)前股價對應(yīng)PE分別為36.8、28.1、21.8倍，基于公司全面豐富的產(chǎn)品線和大規(guī)模的研發(fā)投入，給予“買入”投資評級。

▌風(fēng)險提示

行業(yè)競爭加劇的風(fēng)險；新產(chǎn)品新技術(shù)研發(fā)的風(fēng)險；公司規(guī)模擴張引起的管理風(fēng)險；產(chǎn)品應(yīng)用落地不及預(yù)期的風(fēng)險；下游需求減弱的風(fēng)險。

(來源：慧博投研)

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(編輯 趙橋)